Magnachip推出具有快速恢复体二极管的新系列
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2023-06-02 15:35:50
摘要 Magnachip Semiconductor Corporation(Magnachip或公司)(纽约证券交易所代码：MX)今天宣布，该公司发布了一个新的 600V 超结金属氧化物...
Magnachip Semiconductor Corporation(“Magnachip”或“公司”)(纽约证券交易所代码：MX)今天宣布，该公司发布了一个新的 600V 超结金属氧化物半导体场效应系列产品晶体管(SJ MOSFET)由九种采用专有设计技术的不同产品组成。
Magnachip 的专有设计可将比导通电阻 (R SP ) 降低约 10%，并且在保持与上一代 MOSFET 相同的单元间距的情况下实现了这一结果。
此外，600V SJ MOSFET 的新产品系列配备了快速恢复体二极管。这种二极管技术显着提高了系统效率，同时减少了反向恢复时间 (t rr ) 和开关损耗。因此，评估MOSFET综合性能的品质因数与上一代产品相比提高了10%以上。因此，这些 600V SJ MOSFET 可广泛用于工业应用，例如太阳能逆变器、储能系统、不间断电源系统和各种电子产品。
在这些新型 MOSFET 中，MMQ60R044RFTH 产品具有 44mΩ 的极低RDS (on) ，使其成为电动汽车充电器和服务器的最佳选择。全球市场研究公司Omdia估计，2023年至2026年，用于混合动力和电动汽车和服务器的Si MOSFET市场的复合年增长率将分别为11%和7%。
Magnachip 首席执行官 YJ Kim 表示：“既然我们已经推出了这些 600V SJ MOSFET 产品，我们的目标是在 2023 年下半年推出具有快速恢复体二极管的新型 650V 和 700V SJ MOSFET 产品。” “这些新的 MOSFET 代表了公司的一项显着成就，我们将在此成功的基础上提供下一代电源解决方案，以满足快速变化的市场需求和客户期望。”
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